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JLCPCB SMT Parts Library & Component Sourcing

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  • Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET)

    (495)
  • Manufacturer
    • AnBon
    • ANHI
    • Bruckewell
    • Diodes Incorporated
    • GeneSiC Semiconductor
    • HXY MOSFET
    • Infineon Technologies
    • InventChip
    • KNSCHA
    • Littelfuse
    • Littelfuse/IXYS
    • MCC(Micro Commercial Components)
    • MDD(Microdiode Semiconductor)
    • Microchip Tech
    • Navitas
    • onsemi
    • PN Junction Semiconductor
    • Power X
    • Qorvo
    • REASUNOS
  • PackageType
    • AG-62mm
    • AG-EASY1B-2
    • D2PAK
    • D2PAK-7
    • D2PAK7
    • D2PAK7(TO-263-7L-HV)
    • D3PAK
    • DFN8080-8
    • H-PSOF8L(9.9x11.68)
    • H2PAK-7
    • HiP-247
    • HiP-247-4
    • HU3PAK
    • PowerVDFN-8
    • SOT-227
    • SOT-227(ISOT-OP)
    • SP1F
    • SP3F
    • SP6
    • TDFN4-2(8x8)
  • Channel Type
    • 1 N-Channel
    • 1PCSNChannel
    • 2 N-Channel
    • 4PCSNChannel
  • Configuration
    • Half Bridge
    • 三相桥
  • Continuous Drain Current
    • 3A
    • 4A
    • 4.7A
    • 5A
    • 5.2A
    • 5.3A
    • 6A
    • 6.2A
    • 6.4A
    • 6.7A
    • 7A
    • 7.4A
    • 7.6A
    • 9A
    • 10A
    • 11A
    • 11.5A
    • 13A
    • 14A
    • 17A
  • Continuous Drain Current (Id)
    • 17A
    • 63A
    • 66A
    • 100A
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)
    • 21mΩ
    • 32mΩ
    • 40mΩ
    • 160mΩ
  • Drain Source Threshold Voltage
    • 1.8V
    • 2V
    • 2.3V
    • 2.5V
    • 2.6V
    • 2.8V
    • 2.9V
    • 3V
    • 3.2V
    • 3.6V
    • 4.5V
  • Drain Source Voltage
    • 650V
    • 700V
    • 750V
    • 900V
    • 1000V
    • 1200V
    • 1700V
    • 3300V
  • Drain Source Voltage (Vdss)
    • 1.2kV
  • Drain-Source On-State Resistance(15V)
    • 16mΩ
    • 25mΩ
    • 42mΩ
    • 60mΩ
    • 75mΩ
    • 809mΩ
  • Drain-Source On-State Resistance(18V)
    • 19mΩ
    • 28mΩ
    • 30mΩ
    • 35mΩ
    • 48mΩ
    • 57mΩ
  • Drain-Source On-State Resistance(20V)
    • 45mΩ
    • 25mΩ
    • 27mΩ
    • 33mΩ
    • 40mΩ
    • 80mΩ
    • 160mΩ
    • 650mΩ
    • 700mΩ
    • 0.8Ω
    • 1000mΩ
  • Encapsulated Type
    • Single tube
    • 单管
  • Input Capacitance
    • 179pF
    • 186pF
    • 194pF
    • 215pF
    • 275pF
    • 1020pF
    • 1118pF
    • 1130pF
    • 1196pF
    • 1230pF
    • 1680pF
    • 2120pF
    • 2440pF
    • 3290pF
    • 3480pF
    • 3550pF
    • 4700pF
    • 6085pF
  • Operating Temperature
    • -40℃~+150℃
    • -55℃~+150℃
    • -55℃~+175℃
    • -55℃~175℃
  • Output Capacitance
    • 69pF
    • 80pF
    • 124pF
    • 171pF
    • 230pF
    • 231pF
  • Power Dissipation
    • 32W
    • 45W
    • 50W
    • 54W
    • 60W
    • 62W
    • 62.5W
    • 65W
    • 66.9W
    • 68W
    • 69W
    • 74W
    • 75W
    • 78W
    • 83W
    • 85W
    • 86W
    • 88W
    • 91W
    • 94W
  • Power Dissipation (Pd)
    • 97W
    • 283W
    • 326W
    • 469W
  • Reverse Transfer Capacitance
    • 0.7pF
    • 1.6pF
    • 1.8pF
    • 2.2pF
    • 5pF
    • 6.7pF
    • 7.5pF
    • 7.8pF
    • 9pF
    • 10.8pF
    • 11pF
    • 13pF
    • 25pF
    • 29pF
    • 42.8pF
  • Total Gate Charge
    • 110.8nC
    • 120nC
    • 133nC
    • 160nC
    • 164nC
    • 207nC
    • 21.8nC
    • 22nC
    • 23nC
    • 33nC
    • 46nC
    • 57nC
    • 5nC
    • 63nC
    • 71nC
    • 76nC
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs)
    • 101nC
    • 114nC
    • 118nC
    • 162nC
    • 38nC
  • Type
    • 1PCSNChannel
Results remaining: 495
Quantity
-
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495 items in total
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  • 4
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  • 6
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